求助求助vasp计算C-H键裂解问题
最近在计算甲烷分解，查文献一般正常的过渡态C-H解离键长都在1.5~1.8范围，我在Ag表面计算得到的键长却2.3.....做虚频居然也有，不过比较小，600多，有没有得到过类似结果啊，键长特别长，但还是有虚频的情况计算参数也换过了，原来是用IBRION=1 NFREE=2做过渡态，看vasp说明书改为IBRION=3 =2试过，结果是一样的
求助想用ms作磁性，看到用castep做的文献不是太多，请教一下作磁性的朋友！
方向是磁性的计算，找了一下相关的文献，发现大牛们大多都用全电子全势软件在做，或者有的用vasp，而用castep做的很少，据说是不太准确请这方面有经验的朋友说说，用castep作磁性的前途怎么样?发文章的话期刊的认同程度高不?或者麻烦给点建议。
DFT-D2方法计算低覆盖度下的吸附结果可用吗？
请问同行们，用dft-d2方法计算的低覆盖度下的吸附结果可用吗?这种方法可以算出吸附分子间的vdw能和吸附分子与基地之间的vdw能吗?再问一个，一些文献中的关于实验方面的SAM膜吸附能是默认的高覆盖度下的还是有指定覆盖度的?我在关于实验的文献中好像只看到吸附能是多少，没看到有说在覆盖度为多少时吸附能多少。希望知道的或者做过这方面的老师和学生能多多交流一下，谢谢大家!!!
为什么我算出来的2D材料都有虚频？
我计算的2D 材料，之前计算过石墨烯，在gamma点出现虚频，现在算Silicene 也在gamma点出现虚频，我始终找不到原因，请大神普渡我我计算声子谱的INCAR文件：SYSTEM = Silicene PREC = Accurate ENCUT = 500 ! fm expeence of predecessor IBRION = 8 EDIFF = 1.0e-08 GGA =……
求助表面氧吸附
我才开始接触关于表面氧吸附方面的研究用VASP计算表面的氧吸附1，不知道底物原子是固定不动还是和表面的氧一起优化?2，有些文章提到加氧气是分为自旋三重态和单重态，这个在VASP里怎么设置?
求助大家用DMOL3算的C60分子的LUMO-HOMO带隙是多少啊？
大家用DMOL3算的C60分子的LUMO-HOMO带隙是多少啊?文献中说实验值是1.7文献计算结果是1.683。为啥我怎么算，换了各种设置算都是1.8呢啊?大家给指点一下啊
